نانو الکترونیک و پلاسمونیک(افشین رشید)

Name: نانو الکترونیک و پلاسمونیک(افشین رشید)
Uploaded: 2023-06-26T07:48:24+03:30
Duration: 20 s

بازدید :

199

زمان ارسال :

1 سال پيش

- دانلود با کیفیت
- 720p 480p 360p 200p
0
- کد اشتراک ویدیو
گزارش مربوط به "نانو الکترونیک و پلاسمونیک(افشین رشید) "

برای نمایش ویدیو در سایت یا وبلاگ خود شما میتوانید کد زیر را در سایت و یا وبلاگ خود قرار دهید.

ابعاد

کپی کردن کد

<style>.embed-container { position: relative; padding-bottom: 56.25%; height: 0; overflow: hidden; max-width: 100%; } .embed-container iframe, .embed-container object, .embed-container embed { position: absolute; top: 0; left: 0; width: 100%; height: 100%; }</style><div class='embed-container'><iframe src='https://www.mp4.ir/embed?Watch=243282-594758433' frameborder='0' allowfullscreen></iframe></div>

برای رد تایید ویدیوی فوق یکی از موارد زیر را انتخاب نمایید .

رد تایید

dr_afshin_rashid

کانال : افشین رشید(نانو الکترونیک)

دنبال کردن کانال

توضیحات :

دکتر افشین رشید _ اُستادیار ؛ عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران: در ساختار (نانو ترانزیستور ها) Nano transistor کمیت الکترونیکی که راحت تر در دسترس می باشد ، پتانسیل یونیزاسیون است و در پتانسیل یونیزاسیون در اندازه دانه های کوچک نانو ساختار (ذرات ریزتر) بیشتر است یعنی با افزایش اندازه ذرات پتانسیل یونیزاسیون آنها کاهش می یابد.افزایش نسبت سطح به حجم وتغیرات در هندسه وساختار الکترونیکی تاثیر شدیدی روی فعل وانفعالات شیمیایی ماده می گذارد و برای مثال فعالیت ذرات کوچک با تغییر در تعداد اتم ها (و در نتیجه اندازه ذرات) تغییر می کند.بَر خلاف نانو ترانزیستور های امروزی که بر پایه حرکت توده ای از الکترونها در ماده رفتار میکنند وسیله های جدید از پدیده های مکانیک کوانتومی در مقیاس نانو پیروی میکنند که دیگر طبیعت گسسته الکترون در آن قابل چشم پوشی نیست .با کوچک کردن تمامی ابعاد افقی و عمودی ترانزیستور، چگالی بار الکتریکی در نواحی گوناگون نانو ترانزیستور افزایش می یابد یا به بیان دیگر تعداد بار الکتریکی در یکای سطح نانو ترانزیستور زیاد میشود.